Caracterização óptica de pós nanoestruturados de ZnO-Si'O IND.2' dopados com íons 'Eu POT.3+' (2010)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Física do Centro-Oeste. Unidades: FFCLRP, IFSC
Assuntos: TERRAS RARAS, SILÍCIO (APLICAÇÕES INDUSTRIAIS), NANOTECNOLOGIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, LASER DO ESTADO SÓLIDO, ÍONS
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ABNT
SANTOS, J. V. C. et al. Caracterização óptica de pós nanoestruturados de ZnO-Si'O IND.2' dopados com íons 'Eu POT.3+'. 2010, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010. . Acesso em: 11 maio 2024.APA
Santos, J. V. C., Gonçalves, R. R., Hernandes, A. C., Siu Li, M., & Maia, L. J. Q. (2010). Caracterização óptica de pós nanoestruturados de ZnO-Si'O IND.2' dopados com íons 'Eu POT.3+'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.NLM
Santos JVC, Gonçalves RR, Hernandes AC, Siu Li M, Maia LJQ. Caracterização óptica de pós nanoestruturados de ZnO-Si'O IND.2' dopados com íons 'Eu POT.3+'. Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 11 ]Vancouver
Santos JVC, Gonçalves RR, Hernandes AC, Siu Li M, Maia LJQ. Caracterização óptica de pós nanoestruturados de ZnO-Si'O IND.2' dopados com íons 'Eu POT.3+'. Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 11 ]
